nBn型InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器光电特性研究
Electrical and Optical Properties of nBn Based on Type-II InAs-GaSb Strained Layer Superlattice Infrared Detectors
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摘要: 设计了nBn结构的InAs/GaSb II类超晶格红外探测器，从理论和实验两方面对nBn器件的暗电流特性进行了研究，研究结果表明：理论计算的暗电流和实际测试结果趋势一致。另外，研制了p-i-n结构器件并与nBn器件进行了比较，测试结果显示：在77 K温度下，nBn器件的暗电流要比p-i-n器件暗电流小2个量级。温度升高到150 K时，nBn器件暗电流变大2个量级，而p-i-n器件暗电流变大4个量级；nBn器件峰值探测率下降到1/5，p-i-n器件峰值探测率下降2个量级。可见nBn器件适合高温工作，适合高性能红外焦平面探测器的研制。
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