二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性
Modification of Polycrystalline Vanadium Dioxide Film by Doping Methods
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摘要: 掺杂能明显改变二氧化钒薄膜的相变温度,影响其电学和光学性质.研究表明:W、Mo等大尺寸原子掺杂可以有效降低相变温度,而Al、P等小尺寸原子掺杂则使相变温度升高.综述、比较了不同掺杂方法和掺杂元素对相变、相变滞豫、电阻和透射性能的影响,介绍了用离子束增强沉积方法对二氧化钒薄膜掺杂改性的优点.综合分析表明,通过对二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性,将相变温度降至室温附近,可以大大提高薄膜的室温电阻温度系数.
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