电子轰击型PSD器件的研究与应用
Study and Application of Electron Bombing PSD Device
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摘要: 首先介绍了新型半导体光电位敏器件(PSD)的独特优点.同时根据极微弱光探测的应用需求,提出了电子轰击型新概念器件EBPSD,研究了它的制作原理,并对已制出的器件进行了半导体增益测试,其结果是入射电子能量2 keV时增益大于102;5 keV时增益可达103,证实了这种器件的优越性.还将(EBPSD)器件和微通道板相结合,充分利用微通道板的高增益特性,提出了电子增益高达108的MCP-PSD管设计方案,并制出了样管,指出这种器件可用于低于10-7lx极微弱光图像的光子计数探测.
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