摘要: 讨论了制作pn结的另一种途径,即在n型HgCdTe材料上离子注入As+,然后通过辐射快速退火形成反型p+层来获得p+n结.通过对制作工艺及实验结果的讨论,阐述了两种制作pn结工艺的特点.实验表明,采用辐射快速退火工艺可以在短时间内完成对HgCdTe注入表面的缺陷退火和杂质激活,而不会改变HgCdTe 组份.已用此方法在注入As+的n型HgCdTe样片上制作出性能较好的p+n结光伏红外探测器.