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大直径HgCdTe晶体的结构缺陷分析

Analysis of Structure Defect in the Large Diameter HgCdTe Crystal

    摘要
  • 摘要: 用加压-改进Bridgman法生长的大直径HgCdTe(φ=40mm)晶体,通过X射线形貌技术分析表明,晶体结构包含有大量的亚晶粒,同时在晶片中观察到夹杂、位错、应力区等结构缺陷.结合X射线双晶衍射回摆曲线分析表明,亚晶粒和测试晶面间的取向差约为40"～200",大小约为0.5 mm×0.5 mm～2 mm×2 mm.

     

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